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標(biāo)簽:
X架構(gòu)內(nèi)存子系統(tǒng)技術(shù)
內(nèi)存可靠性增強
–內(nèi)存容量的增加(最大為32GB),在單個DIMM上的內(nèi)存密度的增加(最大為1GB),以及內(nèi)存子系統(tǒng)速度的提高,使得發(fā)生內(nèi)存多位錯誤的風(fēng)險明顯增大,標(biāo)準(zhǔn)的ECC內(nèi)存無法修正多位內(nèi)存錯誤,導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。
X架構(gòu)內(nèi)存子系統(tǒng)特性包括:
–256GB內(nèi)存容量
–ActiveMemory
–高速(DDR)內(nèi)存
–內(nèi)存ProteXion
–Chipkill內(nèi)存
–內(nèi)存鏡像
–熱添加/熱插拔內(nèi)存
–內(nèi)存eX擴展技術(shù)(MXT)